OFweek電子工程網訊 化合物半導體是區別于硅（Si）和鍺（Ge）等傳統單質的一類半導體材料，主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等。相對于硅材料，化合物半導體性能更加優異，制作出的器件相對于硅器件具有更優異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征。

當前，全球半導體產業正處于深度變革，化合物半導體成為產業發展新的關注點，我國應加緊產業布局，搶占發展的主動權。

集成電路產業深刻變革驅動化合物半導體市場發展。一是集成電路產業遵循“摩爾定律”演進趨緩，以新材料、新結構以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產業新的發展重心。二是曾經驅動集成電路市場高速增長的PC和智能手機市場疲軟，未來5G和物聯網將成為新風口。三是全球能源和環境危機突出，能源利用趨向低功耗和精細管理。化合物半導體作為新材料和新器件，在微波通信器件、光電子器件和功率器件中有著同類硅器件所不具備的優異性能，將在以上應用領域得到廣泛應用。

國內外圍繞化合物半導體的并購案頻發。近年來，國際巨頭企業紛紛圍繞化合物半導體展開并購，2014年8月，功率半導體領導者德國英飛凌公司以30億美元收購美國國際整流器公司（IR），取得了其硅基GaN功率半導體制造技術;同年9月，設計和制造GaAs和GaN射頻芯片的RFMD公司和TriQuint公司宣布合并為新的RF解決方案公司Qorvo。國內企業和資本也圍繞化合物半導體產業展開收購。

國家“大基金”投資三安光電布局化合物半導體。2015年6月，國家集成電路產業投資基金（“大基金”）投資48.39億元入股三安光電，推動三安光電下屬三安集成電路公司圍繞GaAs和GaN代工制造，開展境內外并購、新技術研發、新建生產線等業務。同時，國家開發銀行也以最優惠利率向三安提供200億元貸款。

2016年2月，泉州市政府、“大基金”、華芯投資、三安集團等在晉江市合資成立安芯基金，基金目標規模500億元，首期出資規模75.1億元，將主要投向III-V族化合物集成電路產業。